E-mail: secretary@si2012.org




Сайт создан на платформе LPS
 
  Забыли пароль?
 

Стендовые

Информация

Сессии стендовых докладов будут проводиться во вторник и среду. Длительность сеccий  - 90 минут.

День Время Секции (темы)
Вторник 18.30-20.00 1. Дефекты и примеси в кристаллах и пленках Si, SiGe и Ge
2. Наноразмерные структуры на основе кремния
Среда 18.30-20.00 3. Кристаллы и пленки Si, SiGe и Ge
4. Приборные структуры на основе кремния
5. Другие твердотельные структуры на подложках кремния
6. Диагностика кремния и приборных структур на его основе

 

Размеры стендов, предоставляемых докладчикам составляют:

ширина 950 мм
высота 1250 мм

Наиболее подходящим стандартным форматом бумажного листа является А0 (841 х 1189 мм).

Организационный комитет убедительно просит докладчиков оформлять доклады достойным образом и аккуратно размещать их на стенде.

Программа стендовых докладов

 

Cекция 1

Дефекты и примеси в кристаллах и пленках Si, SiGe и Ge. Модифицикация свойств материалов под влиянием термических обработок, радиационного облучения и других воздействий

Z.А. Isgandarzada

Влияние электронного облучения с энергией 4 МэВ на электрические и фотоэлектрические свойства p-n переходов на основе твердого раствора Ge-S

P1.01

D. Kropman

Effect of ultrasonic treatment on the defect structuire of the Si-SiO2 system

P1.02

Г.В. Арзуманян

Энергетические состояния в запрещенной зоне кристаллического кремния, обусловленные атомами замещения титана и кислорода

P1.03

А.Р. Велиханов

Действие электрического тока на пластичность монокристаллов кремния

P1.04

Е.Н. Волкова

Особенности примесного состава высокочистых кремния, германия и их летучих соединений

P1.05

А.В. Гиро

Формирование и свойства водородосодержащих доноров в кремнии, имплантированном различными потоками низкоэнергетических протонов

P1.06

Г.А. Горюшин

Тепловые процессы при направленной кристаллизации в двухфазной среде

P1.07

Б.Г. Захаров

Структурные особенности кристаллов Ge(Ga), выращенных в различных условиях тепломассопереноса

P1.08

Н.М. Казючиц

Проводимость разупорядоченных слоев кремния, имплантированных высокоэнергетическими ионами азота

P1.09

А.Е. Калядин

Люминесцентные и структурные свойства кремния, имплантированного ионами кремния

P1.10

М.М. Качанова

Начало пластического процесса снятия напряжений несоответствия скольжением дислокаций в плоскости границы раздела (111)

P1.11

А.Г. Колосюк

Механизм ускоренного отжига A-центров в n-Si при высокотемпературном импульсном электронном облучении

P1.12

Ф.Ф. Комаров

Моделирование процессов ионной имплантации и быстрых термообработок при формировании активных областей субмикронных и нанометровых ИС на кремнии

P1.13

А.A. Конаков

Влияние легирования мелкими донорами на спиновую релаксацию и g-фактор электронов проводимости в кремнии

P1.14

Т.В. Критская

Особенности процессов рекомбинации в монокристаллах кремния, выращенных в различных средах

P1.15

Т.В. Критская

Поведение примеси углерода в технологических процессах получения полупроводникового кремния

P1.16

Р.В. Кузьмин

Интенсивность излучения в видимой и ИК-областях спектра в структурах n-Si-p- Si, легированных Er, Eu

P1.17

Н.В. Латухина

Структура и состав диффузионных слоев кремния, легированных эрбием

P1.18

А.С. Лошаченко

Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода

P1.19

М.М. Лучкевич

Дислокационная фотолюминесценция в одноосно пластически деформированном Cz- и FZ-Si

P1.20

Р.Р. Муратов

Дефектообразования в структуре por-SiC/Si

P1.21

Л.И. Мурин

О влиянии температуры облучения на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n- и p-типа

P1.22

Н.Т. Павловская

Магнетосопротивление облученных протонами нитевидных кристаллов Si0,97Ge0,03

P1.23

С.М. Пещерова

Особенности взаимодействия компонентов примесей в кристаллах мультикремния, выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера из рафинированного металлургического кремния

P1.24

Д.С. Полоскин

Особенности радиационного дефектообразования в сильнолегированном кремнии n-типа под действием электронного облучения при криогенных температурах

P1.25

С.А. Попков

Исследование мелкого донорного центра в слоях SiGe/Si с измененным изотопным составом

P1.26

В.К. Прокофьева

Геттерирование расплава кремния алюминием

P1.27

А.И. Простомолотов

Особенности процессов дефектообразования в пластинах монокристаллического кремния при различных видах геттерирующих термообработок

P1.28

А.И. Простомолотов

Быстрый термический отжиг слоев монокристалиического кремния, имплантированных ионами бора и фосфора

P1.29

Б.Н. Романюк

Исследование механизмов геттерирования некоторых рекомбинационно-активных примесей в «солнечном» кремнии

P1.30

В.В. Румянцев

Особенности распространения электромагнитных возбуждений в неидеальном 1D Si/ЖК фотонном кристалле

P1.31

П.К. Садовский

Формирование геттерирующих слоев в кремнии имплантацией ионов сурьмы

P1.32

Д.П. Слободзян

Эволюция дефектов в поверхностно-барьерных структурах Bi-Si-Al

P1.33

И.С. Смирнов

Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия кристаллов кремния, облученных протонами

P1.34

А.А. Стук

Особенности технологии ядерного (нейтронного) легирования кремния, предназначенного для СПП нового поколения, фотоприемников и детекторов излучений

P1.35

В.И. Таланин

О возможности дефектной инженерии бездислокационных монокристалловкремния и приборов на его основе

P1.36

Н.Д. Тимочко

Акустическая модификация электропроводимости в γ-облученном кремнии

P1.37

О.В. Феклисова

Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облучённом электронами

P1.38

В.А. Филипеня

Спектры DLTS кремниевых диодов с p+–n-переходом, облученных высокоэнергетическими ионами криптона

P1.39

Е.И. Шек

Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия

P1.40

И.О. Явтушенко

Управление микротвердостью полупроводников (на примере Si) внешним электрическим полем

P1.41

А.Н. Якименко

Исследование глубоких уровней в кремнии, легированном эрбием

P1.42

В.А. Козлов

Исследование особенностей пространственного распределения дислокаций в эпитаксиальных слоях кремниевых многослойных структур и определение степени их влияния на вольт-амперные характеристики высоковольтных p-n переходов силовых приборов

P1.43


Секция 2

Наноразмерные структуры на основе кремния: технологии получения и свойства квантово-размерных структур, скрытых и напряженных слоев; их использование для твердотельной электроники

В.В. Андреев

Фотостимулированная сборка наночастиц кремния из мигрирующих под действием относительно слабого лазерного излучения адатомов

P2.01

В.В. Болотов

Получение и исследование газочувствительных свойств нанокомпозитных структур на основе Por-SiO2/SnOx

P2.02

В.В. Болотов

Исследование механизма адсорбции NO2 в слоях нанокомпозитов por-Si/SnOx методами ИК- и ЭПР-спектроскопии

P2.03

Ю.К. Верёвкин

Создание наноразмерных периодических структур методом импульсной интерференционной литографии (периодические квантоворазмерные островки, антиотражающие и нанопористые структуры, фазовые маски)

P2.04

А.А. Гисматулин

Формирование и исследование двухбарьерных туннельных структур на кремнии

P2.05

Д.А. Грачев

Структурные и оптические свойства систем с нанокристаллами кремния в оксиде, полученных отжигом нанопериодических структур SiO/SiO2 и SiO/Al2O3

P2.06

Г.С. Гребенюк

Формирование межфазовой границы кремний-кобальт

P2.07

А.Л. Долгий

Формирование никелевых магнитных нанопроволок в пористом кремнии

P2.08

М.Д. Ефремов

Модель для описания электрических характеристик МОП-конденсаторов с полупроводниковыми нановключениями в окисле

P2.09

С.А. Китань

АСМ-исследование морфологии и устойчивости к окислению двухслойных нанопленок Cu/Fe на поверхности Si(001)

P2.10

С.А. Китань

Рост многослойных нанопленок Cu/Si/FexSi и Cu/Si/Fe/Si/Fe на Si(001)

P2.11

Ф.Ф. Комаров

Анализ структуры, состава и механических напряжений в системе «кремний - нанокристаллы полупроводников А3В5» по спектрам комбинационного рассеяния света

P2.12

Д.А. Коюда

Синхротронные исследования многослойных нанопериодических структур Si/Mo/Si...c-Si

P2.13

В.С. Левицкий

Особенности формирования пористых структур в золь-гель системах на основе диоксида кремния и оксидов металлов

P2.14

А.С. Леньшин

Наночастицы оксидов металлов, сформированные в микрореакторах пористого кремния

P2.15

А.С. Леньшин

Изучение структуры и оптических свойств n/+p - многослойного макропористого кремния

P2.16

В.Г. Литовченко

Характеризация кремниевых гетероструктур нанопор Si-Si методами электрофизики и катодолюминесценции

P2.17

М.Н. Магомедов

О размерной зависимости модуля упругости нанокристалла кремния

P2.18

И.В. Матюшкин

Модель разделения фаз при отжиге слоев нестехиометрического оксида кремния

P2.19

М.В. Меженный

Математическое моделирование процесса экструзии композиционного материала на основе карбида кремния

P2.20

М.А. Мирджалилова

Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для получения наноструктур на основе Si

P2.21

А.А. Мискевич

Влияние пространственной упорядоченности на оптические свойства слоёв сферических частиц кремния с размерами порядка длины волны

P2.22

Е.А. Невар

Формирование наночастиц кремния при электрическом разряде в жидкостях

P2.23

Д.Н. Нестеров

Особенности электронного строения и взаимодействия с излучением нанометрового диапазона структур типа кремний-на-изоляторе

P2.24

Г.А. Писаренко

Биологическое применение фоточувствительной матрицы дискретных диодов на основе пористого микрокристаллического кремния

P2.25

Е.Д. Полоскин

Резонансное неупругое рассеяние света и люминесценция в коллоидных квантовых точках nc-Si/SiO2

P2.26

С.В. Редько

Температурная зависимость удельного сопротивления пористого кремния, сформированного на кремниевых пластинах n+-типа проводимости

P2.27

А.С. Рогожин

Фоточувствительные гетероструктуры на основе пористого нанокристаллического кремния для ФЭП

P2.28

В.Н. Сивков

Рентгеновские и синхротронные исследования пористого кремния

P2.29

е.Н. Соколова

Высокоупорядоченные слои por-Al2O3 на кремнии для темплатного синтеза

P2.30

А.А. Тонких

Новый тип квантовых точек Ge/Si: метод формирования и свойства

P2.31

П.Г. Травкин

Влияние засветки на морфологию слоев пористого кремния

P2.32

К.Б. Тыныштыкбаев

О граничных процессах в межфазной области электролит-кремний при самоорганизации 3D островков нанокристаллитов мозаичной структуры пористого кремния при длительном анодном травлении p-Si (100) в электролите с внутренним источником тока

P2.33

К.Ю. Черноглазов

Высокотемпературный ферромагнетизм и аномальный эффект Холла в пленках Si1-xMnx (x = 0.5)

P2.34

А.В. Черняев

Анизотропия электрических свойств слоев нанопористого кремния

P2.35

Л.А. Васильева

Синтез наночастиц кремния в плазме барьерного разряда

P2.36


Секция 3

Кристаллы и пленки Si, SiGe и Ge: технологии получения и свойства поликристаллических, мультикристаллических, монокристаллических, аморфных и пористых материалов

 

Б.М. Абдурахманов

Тепловольтаические свойства поликристаллических кремниевых и кремний- германиевых плёнок

P3.01

Б.М. Абдурахманов

Термоэлектрические свойства гранулированного кремния: материаловедческий и радиационный аспекты

P3.02

И.В. Антонова

Зарядовая спектроскопия слоев SiO2 и Al2O3 c нанокристаллами Ge

P3.03

Л.В. Арапкина

Исследование поверхности Si(001), эпитаксиальных слоев Si и интерфейсо epi-Si/Si(001), формируемых в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии

P3.04

Т.Ю. Белик

Особенности пористого кремния полученного химическим травлением

P3.05

Л.М. Виноградов

Синтез мелкозернистого карбида кремния методом карботермического восстановления кремнезёма в электротермическом кипящем слое

P3.06

В.В. Войтович

Влияние олова на процессы формирования нанокристаллического кремния в тонких пленках аморфной SiОx матрицы

P3.07

М.А. Гоник

К возможности выращивания объемных кристаллов Si-Ge методом ОТФ

P3.08

С.А. Денисов

Выращивание эпитаксиальных слоев SiGe и Ge на КНС-подложках и некоторые их свойства

P3.09

С.А. Денисов

Низкотемпературный эпитаксиальный рост толстых слоев Ge на Si(100)

P3.10

А.С. Дерябин

Выращивание растянутых пленок германия на буфере InGaAs

P3.11

З.М. Захрабекова

Влияние термической обработки на электрические свойства сложнолегированных кристаллов Ge-Si, Ge-Si

P3.12

А.В. Инюшкин

Теплопроводность моноизотопных кристаллов 28Si и 29Si

P3.13

Р.А. Корнев

Плазмохимическая конверсия тетрахлорида кремния в процессе производства поликристаллического кремния

P3.14

Р.А. Корнев

Получение кремния водородным восстановлением SiF4 в плазме, поддерживаемой ВЧ и СВЧ разрядами

P3.15

Р.А. Корнев

Получение методом PECVD поликристаллического 72Ge из его тетрафторида с последующим выращиванием монокристалла

P3.16

Ю.Ю. Крючков

Возможности РБМК для нейтронного легирования монокристаллов кремния большого диаметра

P3.17

А.А. Ломов

Влияние структурных искажений пористых структур кремния на их оптические свойства

P3.18

Л.А. Матвеева

Расслоение твердого раствора GeSi на подложках GaAs и Si

P3.19

Х.А. Миркурбанов

Малогабаритная эпитаксиальная установка функционального контроля соединений кремния

P3.20

Х.А. Миркурбанов

Опытно-промышленный модуль для получения гранулированного поликремния солнечного качества в реакторе кипящего слоя

P3.21

К.А. Митин

Зависимость полей температуры в монокристалле кремния от режимов теплообмена с окружающей средой в методе Чохральского

P3.22

А.Г. Новиков

Лазерный отжиг тонких пленок германия на кремнии, полученных газофазным химическим осаждением

P3.23

Е.Г. Новоселова

Применение метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок кремния

P3.24

Н.Н. Ормонт

Фотоиндуцированные изменения темновой проводимости и фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H при температурах выше комнатных

P3.25

Р.В. Пресняков

Свойства мультикристаллического кремния при моделировании исходного состава рафинированного металлургического кремния

P3.26

А.И. Простомолотов

Изучение флуктуаций температуры и динамики фронта кристаллизации на модели метода Чохральского

P3.27

Г.А. Рудаков

Кинетика химического осаждения слоев аморфного кремния

P3.28

Ф.А. Рустамов

Сужение ширины запрещенной зоны пористого кремния, полученного химическим травлением, с увеличением времени травления

P3.29

А.С. Скрябин

Изучение получения поликристаллического кремния из кварца неравновесным плазмохимическим методом

P3.30

А.С. Скрябин

Получение и свойства наноструктурированных объемных твердых растворов кремний-германий (SiGe)

P3.31

С.А. Тийс

Особенности формирования смачивающего слоя Ge на Si(111) и (001) в квазиравновесных условиях роста

P3.32

В.В. Трегулов

Исследование стабилизации характеристик пористого кремния за счет добавок окислителя в электролит

P3.33

Е.М. Труханов

Изучение кристаллографии и электрофизических параметров монокристаллов кремния (111), полученных методом бестигельной зонной плавки

P3.34

С.Ю. Турищев

Перестройка зонной структуры твердых растворов Si1-xGex в зависимости от состава

P3.35

А.Е. Усенко

Формирование структуры поверхности (001) монокристаллического кремния в водных растворах KOH с повышенным содержанием K2CO3

P3.36

М.В. Хенкин

Оптические и фотоэлектрические свойства пленок полиморфного гидрированного кремния

P3.37

А.В. Емельянов

Cтруктурные, оптические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых фемтосекундному лазерному облучению

P3.38


Секция 4

Приборные структуры на основе кремния для микро-, опто-, солнечной и силовой электроники, микромеханики и других применений

А.М. Гурьянов

Кремниевые пленочные структуры с наноразмерными диэлектрическими слоями из оксидов редкоземельных элементов

P4.01

В.В. Забродский

Восстановление чувствительности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете

P4.02

Е.В. Князев

Получение и структура композитных слоев на основе макропористого кремния и SnOx

P4.03

Т.В. Критская

Расчетно-экспериментальное прогнозирование влияния РТП на радиационную стойкость npn структур КСДИ, изготовленных на n-Si с различным содержанием Ge

P4.04

М.Е. Левинштейн

Экспериментальная верификация нового подхода к описанию квазинейтральных режимов переноса в полупроводниках на примере кремниевых p+-n-n+ диодов

P4.05

Е.А. Ляйком

Формирование сквозных мембран с различной пористостью на толстых пластинах монокристаллического кремния

P4.06

В.П. Мемнонов

Определение параметров статистических распределений шероховатой поверхности по измерениям ее нанорельефа с помощью атомно-силового микроскопа

P4.07

О.В. Мильчанин

Низкотемпературный способ формирования барьерного слоя силицида платины для силовых диодов Шоттки

P4.08

А.А. Мискевич

Поглощение излучения многослойной дисперсной структурой, состоящей из сферических частиц кремния

P4.09

А.Г. Мустафаев

Приборно-технологическое моделирование наноразмерных полупроводниковых структур на основе кремния

P4.10

О.М. Орлов

Исследование физических процессов в элементах энергонезависимой памяти (ЭЭП) на основе дискретной запоминающей среды - структура ПОНОП(SONOS), структура с кремниевыми нанокластерами

P4.11

И.Г. Пашаев

Восстановление деградационных свойства диодов Шоттки и солнечных элементов, изготовленных на основе кремния

P4.12

И.Г. Пашаев

Изучение электрофизических свойств диодов Шоттки, изготовленных на основе кремния с различными аморфными металлическими слоями

P4.13

В.Л. Суханов

Кремниевые детекторы с ВАХ “идеального” диода в приборостроении

P4.14

А.К. Федотов

Магнитосопротивление структур In/n-Si/In на основе сильно легированного кремния

P4.15

В.Н. Шеремет

On the issue of mechanism of contact resistance formation on polished n-Si samples

P4.16

 

Секция 5

Другие твердотельные структуры на подложках кремния для нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники

К.Г. Гареев

Исследование структуры и морфологии пленок ферритов, полученных золь- гель методом на подложках кремния

P5.01

А.А. Дмитриевский

Влияние низкоинтенсивного бета-облучения на адгезионные свойства структур AlN/Si

P5.02

C.C. Карпова

Золь-гель синтез наноструктурированных пористых слоев ZnO-SiO2

P5.03

C.А. Китань

Рост двухслойных нанопленок Cu/Fe и Cu/FexSi на Si(001)

P5.04

C.А. Китань

Рост пленок неизоструктурных материалов на кремнии: от нанометровых толщин – к атомным слоям

P5.05

Л.В. Ковалев

Магнитные свойства наноразмерных пленок Sr2FeMoO6 гетероструктуры Si/SiO2/Ti/Pt/ Sr2FeMoO6

P5.06

В.В. Коробцов

Толщинная зависимость электрических и магнитотранспортных свойств пленок магнетита на окисленной поверхности кремния n-типа

P5.07

С.М. Лупехин

Формирование регулярной микроструктуры карбида кремния в процессе вакуумного разряда

P5.08

В.А. Матвеев

Исследование магнитной бислойной наноструктуры CoCu/Co на кремневой подложке методом рефлектометрии поляризованных нейтронов

P5.09

Д.В. Назаров

Наноструктуры на основе VO2 на поверхности кремния для наноэлектроники

P5.10

Е.А. Пекшев

Потенциальный компонент повышения КПД фотоэлектрической структуры

P5.11

И.В. Пентин

Сверхпроводниковый однофотонный приемник ближнего ИК-диапазона на основе ультратонкой наноструктурированной NbN пленки на Si-SiO2 подложке и криорефрижератора замкнутого цикла

P5.12

А.В. Постников

Mechanical strength investigation of SiO2 isolation block embedded in Si wafer

P5.13

А.К. Федотов

Enhanced magnetoresistance in arrays of Ni nanorods on Si substrate

P5.14

И. Мутигуллин

Исследование влияния примесных атомов на величину энергии адгезии тонких пленок InN и GaN на кремниевой подложке

P5.15

 

Секция 6

Диагностика кремния и приборных структур на его основе

Н.Д. Абросимова

Исследование влияния рентгеновского излучения на свойства ионно-модифицированных диэлектрических слоев СБИС на КНИ методом псевдо-МДП транзистора

P6.01

О.В. Александров

Диагностика накопления заряда при ионизирующем облучении МОП-транзисторов на основе кремния

P6.02

М.М. Иванова

Влияние морфологии и состава самоформирующихся наноостровков германия в матрице кремния на радиационную стойкость оптоэлектронных приборов

P6.03

Н.А. Ивлиев

Определение концентрации органических загрязнений на поверхности кремниевых пластин при формировании дифракционного микрорельефа

P6.04

П.М. Корусенко

Анализ элементного и фазового состава слоев оксинитрида кремния, полученных азотированием слоев SiO2 в плазме

P6.05

Т.В. Котерева

Изотопные эффекты в спектрах ИК-поглощения электрически активных примесей в кремнии-28, 29 и 30 с высоким изотопным обогащением

P6.06

В.М. Ломако

Цифровой емкостный спектрометр СЕ-6М

P6.07

В.М. Ломако

Новый подход в разработке DLTS спектрометров – новые возможности спектроскопии дефектов в полупроводниках

P6.08

В.В. Подлипнов

Контроль чистоты поверхности подложек по скорости растекания капли жидкости

P6.09

С.В. Прокудин

Изучение влияния фазовых переходов на поведение пластической деформации в кремнии в процессе наноиндентирования

P6.10

Д.И. Тимаков

Топология напряжений в консоли кантилевера

P6.11

И.А. Шуварин

Условия вязко-хрупкого разрушения кремния при индентировании

P6.12