E-mail: secretary@si2012.org




Сайт создан на платформе LPS
 
  Забыли пароль?
 

Доклады

Школа

Н.В. Абросимов 

Современное состояние и развитие методов выращивания кристаллов кремния

S1

Б.А. Андреев

Лазерные структуры на основе кремния

S2

Е.Б. Якимов

Исследование кремния и кремниевых структур методами тока, индуцированного сфокусированными электронными, световыми и рентгеновскими пучками

S3

А.В. Селькин

Спектроскопия фотонных кристаллов в условиях сильной брэгговской дифракции света

S4

N.A. Sobolev

Radiation Effects in Si-Ge Quantum Size Structures

S5

И.Л. Шульпина

Диагностика кремния и приборных структур на его основе методами рентгеновской дифракционной топографии

S6

 

Пленарные доклады

Г.Я. Красников

Микро- и наноэлектроника: состояние и перспективы

Plen1

Ф.А. Кузнецов

Критические материалы для солнечной фотовольтаики

Plen2

В.В. Вьюрков

Новые материалы в кремниевых интегральных схемах будущих поколений

Plen3

Б.Г. Грибов

Вопросы  получения нанокремниевых  кластеров и изучение их свойств.

Plen4

А.В. Двуреченский

Проблемы  эпитаксии германия на кремнии и получение упорядоченных квантовых слоев Ge/Si

Plen5

 

Приглашенные доклады

Cекция 1

Дефекты и примеси в кристаллах и пленках Si, SiGe и Ge. Модифицикация свойств материалов под влиянием термических обработок, радиационного облучения и других воздействий

А.А. Ежевский

Моноизотопный кремний-28 в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах

I1.02

L.I. Murin

Oxygen-related defects in silicon: Local vibrational mode and deep level transient spectroscopy characterization

I1.03

Л.И. Федина

Атомная структура протяженных дефектов в кремнии и механизмы их образования

I1.01

Н.А. Ярыкин

Идентификация медных и медь-водородных комплексов в кремнии

I1.04


Секция 2

Наноразмерные структуры на основе кремния: технологии получения и свойства квантово-размерных структур, скрытых и напряженных слоев; их использование для твердотельной электроники

Б.Х. Байрамов

Селективное резонансное неупругое рассеяние света и люминесценция в изолированных коллоидных квантовых точках nc-Si/SiO2

I2.03

D. Kovalev

Nanosilicon: Fundamental Properties and Possible Applications

I2.01

И.Н. Яссиевич

Излучение кремниевых нанокристаллов

I2.02


Секция 3

Кристаллы и пленки Si, SiGe и Ge: технологии получения и свойства поликристаллических, мультикристаллических, монокристаллических, аморфных и пористых материалов

 

В.С. Бердников

Общие закономерности смешанной конвекции расплава в вариантах метода Чохральского и управление формой фронта кристаллизации

I3.03

O.V. Kononchuk

Progress in substrate engineering: from SOI to new applications

I3.01

А.И. Непомнящих

Прямое получение мультикремния для солнечной энергетики из высокочистого рафинированного кремния

I3.04

S. Rouvimov

Defect characterization of ribbon silicon

I3.02


Секция 4

Приборные структуры на основе кремния для микро-, опто-, солнечной и силовой электроники, микромеханики и других применений

В.К. Еремин

Кремниевые детекторы релятивистских частиц в современной физике высоких энергий                         

I4.01

В.П. Попов

Электронные биохимические сенсоры на основе КНИ нанопроволочных транзисторов

I4.03

В.Н. Шастин

Кремниевые лазеры ТГц диапазона частот (состояние дел и перспективы)

I4.02

 

Секция 5

Другие твердотельные структуры на подложках кремния для нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники

А.Н. Алешин

Органическая электроника на основе гибридных (полимер – неорганические наночастицы) пленок, нанесенных на кремниевые подложки

I5.03

А.Ю. Поляков

Электрические и термические свойства и спектры глубоких ловушек в AlGaN/GaN HEMT транзисторах, выращенных методом MOCVD на Si

I5.04

О.П. Пчеляков

ГетероструктурыАIIIВV на кремнии

I5.01

А.Н. Редькин

Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках

I5.05

Г.Э. Цырлин

А3В5 нитевидные нанокристаллы на кремнии: рост и свойства

I5.02

 

Секция 6

Диагностика кремния и приборных структур на его основе

Л.С. Власенко

Эффекты спин-зависимой рекомбинации и их применение для исследования точечных дефектов в кремнии

I6.02

V.V. Poborchii

High-spatial-resolution near-UV Raman study of Si nanostructures: Raman efficiency enhancement, stress mapping of real device structures and high-numerical-aperture effects

I6.03

А.А. Саранин

Сканирующая туннельная микроскопия для исследования наноструктур на поверхности кремния: динамика атомов и молекул

I6.01

Устные доклады

Секция 1

Дефекты и примеси в кристаллах и пленках Si, SiGe и Ge. Модифицикация свойств материалов под влиянием термических обработок, радиационного облучения и других воздействий

В.И. Вдовин

Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращенных пластин Si(001)

O1.01

А.С. Бондаренко

Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния

O1.02

Е.Б. Якимов

Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность протяженных дефектов в мультикристаллическом кремнии

O1.04

В.В. Козловский

Роль атомов отдачи в формировании радиационных дефектов при облучении кремния n-типа протонами МэВ-ных энергий

O1.05

Л.В. Соколов

Формирование краевых дислокаций несоответствия в напряженных гетеросистемах с решеткой сфалерита и алмаза

O1.03

Л.В. Арапкина

Исследования наноструктур Gе/Si(001) методами ПЭМ и субмиллиметровой спектроскопии

O1.06

Л.И. Хируненко

Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора

O1.07

Yu.A. Astrov

Silicon with large density of atomic sulphur centers: preparation of samples and their spectroscopy

O1.08

Л.Ф. Макаренко

Свойства дефектов междоузельного типа в кремний-германиевых сплавах, облученных альфа-частицами

O1.09

Д.И. Тетельбаум

Роль оксидных слоев в модификации объемных свойств кремния при ионном, световом и низкотемпературном термическом воздействиях

O1.14

К.В. Карабешкин

Образование устойчивых нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами различных энергий

O1.10

В.Е. Гусаков

Abinitio исследование диффузии димера кислорода в кристаллах кремния

O1.15

Е.М. Труханов

Возникновение дальнодействующих полей нормальных и сдвиговых напряжений при введении дислокаций несоответствия

O1.11

С.П. Кобелева

Влияние температурно-временных режимов на отжиг радиационных дефектов в высокоомном кремнии

O1.12

К.Б. Тыныштыкбаев

Водородно-индуцированное скалывание пластин кремния с помощью электрохимического травления

O1.13

 

Секция 2

Наноразмерные структуры на основе кремния: технологии получения и свойства квантово-размерных структур, скрытых и напряженных слоев; их использование для твердотельной электроники

А.В. Герт

Рекомбинация неравновесных носителей заряда в нанокристаллах кремния, сформированных в пленках SiO2

O2.01

Е.В. Астрова

Анизотропия образования пористых слоев в процессе электрохимического травления кремния

O2.02

В.Г. Литовченко

Ионно-стимулированое формирование тонкослойных структур с встроенными нанокристаллами в диэлектрической матрице

O2.03

П.А. Кучинская

Упорядоченные SiGe квантовые точки на квантовых дисках

O2.04

Н.А. Байдакова

Спектроскопия возбуждения ФЛ структур с амоформирующимися Ge(Si)/Si(001) островками

O2.05

М.В. Шалеев

Переход от двумерного к трехмерному росту в SiGeгетероструктурах, сформированных на релаксированныхSiGe/Si(001) буферных слоях

O2.06

С.Г. Черкова

Кремниевые квантово-размерные источники света, формируемые в гетероструктурахSi/SiO2 облучением тяжелыми ионами высоких энергий

O2.10

И.Е. Тысченко

Пленки гидрированного нанокристаллического кремния на изоляторе, сформированные имплантацией ионов водорода и последующим импульсным миллисекундным отжигом

O2.07

Е.В. Иванова

Формирование нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния при отжиге в вакууме

O2.08

Д.И. Смирнов

Свойства наноразмерного порошкообразного кремния: размерный фактор трансформации

O2.09

 

Секция 3

Кристаллы и пленки Si, SiGe и Ge: технологии получения и свойства поликристаллических, мультикристаллических, монокристаллических, аморфных и пористых материалов

А.И. Никифоров

Влияние температуры роста пленок GexSi1-x на критическую толщину 2D - 3D перехода в процессе МЛЭ

O3.01

T.S. Perova

Investigation of crystalline quality and stress in germanium stripes fabricated by rapid melt growth process

O3.02

И.В. Антонова

Создание и модификация Si и Ge нанокристаллов в SiO2 ионами высоких энергий

O3.03

П.В. Антонов

Управление формой фронта кристаллизации и темпом роста слитка кремния в вариантах метода Бриджмена

O3.04

А.В. Наумов

О сырьевых ограничениях развития солнечной энергетики в 2012-2020 г.г.

O3.05

О.В. Наумова

Свойства субмикронных и наноразмерных слоев Si в системах SiO2/Si/SiO2 и нанопроволочных структур на их основе

O3.06

М.Я. Дашевский

Оптические свойства структурно-совершенных монокристаллических пластин кремния

O3.07

 

Секция 4

Приборные структуры на основе кремния для микро-, опто-, солнечной и силовой электроники, микромеханики и других применений

В.В. Старков

Солнечные элементы с зарядовой подкачкой: теоретические перспективы и технологические аспекты применения

O4.01

П.Б. Родин

Пространственно-неоднородный режим субнаносекундного лавинного переключения высоковольтных кремниевых диодов

O4.02

Г.А. Рудаков

Особенности технологии изготовления МЭМС для оптического считывания выходных сигналов

O4.03

А.А. Писарев

Компьютерное моделирование в производстве силовых тиристоров

O4.04


Секция 5

Другие твердотельные структуры на подложках кремния для нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники

И.Д. Лошкарев

Зависимость деформационного состояния пленок GaAs на вицинальных подложках Si(001) от способа формирования первых монослоев

O5.02

Г.В. Ли

Проектирование и оптические свойства микрорезонатора на основе макропористого кремния

O5.01

А.М. Полянский

Водородный мониторинг для исследований и технологического контроля кремния и структур на его основе

O5.05

К.К. Абгарян

Математическое моделирование наноразмерных электронных структур с заданными свойствами

O5.06

V.K. Ksenevich

Electrical properties of Gd-implanted SnO2 films

O5.03

С.Е. Турищев

Спектромикроскопические исследования массивов субмикронных столбиков никеля в матрице SiO2

O5.04


Секция 6

Диагностика кремния и приборных структур на его основе

A.V. Merkulov

Characterization of Si-SiGe Heterostructures using Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry and Atom Probe Tomography

O6.01

Ф.Ф. Комаров

Измерение профилей мелкозалегающих примесей в кремнии методом РОР с нанометровым разрешением

O6.02

М.Е. Бойко

Моделирование физических свойств нанокристаллического и аморфного кремния на основании исследования доменов и пор методом МУРР

O6.03

А.В. Колесников

Роль дислокаций несоответствия при образовании малоугловых границ в гетеросистемах с несингулярными ориентациями

O6.04

Э.В. Суворов

Тонкая структура рентгеновских волновых полей в кристаллах кремния с локализованными наноразмерными деформациями

O6.05

И.А. Смирнова

Изображение дислокаций в топографии сканирования: эксперимент и численное моделирование

O6.06

А.В. Лютцау

Исследование гетероструктур методом рентгеновской однокристальной дифрактометрии

O6.07

О.С. Васьков

Диагностика технологических характеристик мощных транзисторов с помощью релаксационного импеданс-спектрометра тепловых процессов

O6.08

К.Л. Енишерлова

Влияние свойств слоя кремния на емкостные параметры МДП/КНС-структур

O6.09